柏騰（3518）法說會日期、內容、AI重點整理
柏騰（3518）法說會日期、直播、報告分析
公開資訊觀測站資訊
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- 臺灣證券交易所1樓資訊展示中心 (台北市信義區信義路5段7號1樓)
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- 公司簡介及營運概況說明 會議資料依規定於法說會後揭露於公開資訊觀測站及公司網站
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以下內容由AI生成：
柏騰科技 (3518) 法說會重點摘要 (2025/05/23)
分析與總結
柏騰科技 (3518) 在2025年5月23日的法說會簡報中，揭示了公司在電磁干擾（EMI）防護、真空濺鍍（PVD）鍍膜技術以及碳化矽（SiC）晶圓等領域的最新進展和未來策略。簡報整體呈現的財務數據並不樂觀，尤其在2025年第一季的營運狀況，顯示公司面臨營收下滑和虧損擴大的挑戰。然而，公司在SiC晶圓的策略性投資和擴廠計畫，代表對未來成長的強烈期許。
不利因素：
- 短期營運壓力： 2025年第一季營收下滑，營業毛利和淨利潤均為負數，顯示短期內營運面臨挑戰。特別是毛利率僅為1%，顯示成本控制或產品組合方面存在問題。
- 現金流狀況： 2025年第一季營業活動現金流為負數，顯示公司在日常運營中面臨資金壓力。
- NB市場疲軟： 整體經濟疲軟和關稅風險導致筆電市場成長預期下修，可能影響柏騰在EMI鍍膜領域的業務。
有利因素：
- SiC晶圓長期潛力： SiC晶圓市場預計在2026年後進入大規模商業化階段，柏騰在SiC晶圓上的投資有望在未來帶來顯著回報。特別是8吋SiC晶圓的量產，有助於降低單位晶片成本，提升競爭力。
- 技術領先地位： 柏騰在真空濺鍍技術領域具有領先地位，並持續開發新的應用，有助於在市場上保持競爭力。
- 擴廠計畫： 嘉義8吋SiC基板廠的建設，有助於擴大產能，滿足未來市場需求。
- 客戶驗證： 6吋產品已通過多家客戶驗證，8吋產品也正在進行客戶驗證，顯示產品具有一定的市場認可度。
對股票市場的影響與未來趨勢：
短期內，由於財報數據不佳，以及NB市場的疲軟，可能對股價造成壓力。然而，SiC晶圓的長期發展潛力，以及公司在該領域的積極布局，有助於支撐股價。
長期趨勢預測： 隨著SiC晶圓市場的成長，以及柏騰在SiC晶圓上的投資逐步開花結果，預計公司營收和獲利將會有所提升。此外，公司在PVD鍍膜技術上的持續創新，以及在其他領域的應用，也有望帶來新的成長機會。
投資人應注意的重點（特別是散戶）：
- 密切關注SiC晶圓廠的建設進度： 廠房的完工、設備的進駐以及試產的進展，都是評估公司未來發展的重要指標。
- 追蹤SiC晶圓的客戶驗證情況： 客戶驗證的通過，代表產品獲得市場認可，有助於提升營收。
- 關注NB市場的發展趨勢： NB市場的復甦，有助於提升EMI鍍膜業務的營收。
- 注意公司在PVD鍍膜技術上的創新： 新的應用領域，有助於拓展市場，提升獲利。
- 審慎評估公司財報數據： 留意營收、毛利率、淨利潤等關鍵指標的變化，以評估公司的營運狀況。
柏騰的未來發展取決於SiC晶圓市場的成長，以及公司在該領域的投資能否成功。雖然短期內營運面臨挑戰，但若能順利抓住SiC晶圓市場的機會，柏騰有望在未來實現轉型和成長。散戶投資人應密切關注相關資訊，並審慎評估風險。
重點摘要
- 公司簡介： 柏騰科技 (3518) 成立於1995年，是全球首家將真空濺鍍薄膜技術應用在3C產品的EMI/ESD解決方案公司。主要產品包括PVD鍍膜 (94%)、PVD設備 (5%) 和SiC產品 (1%)。
- 發展歷程： 公司持續投入SiC(碳化矽)基板生產技術，2024年於嘉義建置首座8吋SiC基板廠。
- 財務資訊 (2025年第一季)：
- 資產負債表：現金及約當現金較去年同期增加，金融資產顯著增加，但應收帳款略為下降。負債比率略為上升。
- 綜合損益表：營業收入和毛利均較去年同期下降，導致營業淨損擴大。每股盈餘為 (0.94) 元。
- 現金流量表：營業活動、投資活動和籌資活動均為淨現金流出，導致期末現金餘額下降。
- 財務比率：負債比率略有上升，流動比率維持高檔，但現金流量比率為負值。
- 重要事件：
- 董事會通過114年度第一季合併財務報表，每股損失新台幣0.94元。
- 113年辦理現金增資發行新股經中國證監會同意備案。
- 董事會決議通過以私募方式辦理現金增資發行普通股。
- 董事會決議113年度不分派股利。
- 子公司晶成材料取得SiC新廠廠務工程及裝潢工程新台幣4.45億元。
- SiC新廠投資計畫： 嘉義大埔美智慧型工業園區正在建置8吋SiC晶圓廠，預計2026年第一季啟動量產，一期產能為3,000pcs/月，最大產能為6,000pcs/月。
- 營運展望：
- EMI鍍膜產品： 預估2025年筆電品牌全年出貨年增率下修至1.4%，中國EMI訂單影響仍需持續觀察。
- PVD鍍膜技術： 將PVD鍍膜技術應用在功能鍍膜及外觀表面處理。
- SiC晶圓產品： 8吋SiC晶圓相較6吋晶圓，單位晶片成本可降低35%，預計2026年起進入大規模商業化階段，2026年至2033年的年均成長率(CAGR)可達18.5%。
- SiC加工服務： 新廠具備晶體加工產能，提供6吋及8吋長晶廠晶圓加工及磊晶廠SiC再生晶圓服務。
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