福懋科（8131）法說會日期、內容、AI重點整理
福懋科（8131）法說會日期、直播、報告分析
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福懋科（8131）2024年Q3法人說明會重點摘要
總體分析與展望
福懋科技（8131）於2024年11月28日舉行法人說明會，報告顯示2024年第三季的營運績效呈現衰退趨勢。儘管如此，公司在先進封裝技術的研發上持續投入，特別是在高頻寬記憶體（HBM）及晶圓凸塊等領域。考量到記憶體市場的整體狀況和福懋科的研發方向，短期內股價可能承受壓力，但長期來看，若公司能成功在先進封裝領域佔有一席之地，則有機會迎來成長。投資人應密切關注公司在新建五廠工程進度及DDR5產品的量產情況。
對股票市場的潛在影響：
- 短期：受到整體記憶體需求疲軟的影響，以及Q3財報數字不佳，可能導致股價短期承壓。
- 長期：在先進封裝技術上的投入，若能成功切入HBM或高階記憶體模組市場，將有助於提升公司的長期競爭力，並可能反映在股價上。
給投資人的建議：
- 散戶：在投資決策時，不應只關注短期的財報表現。公司在先進封裝領域的研發進展、新廠的建設進度以及DDR5產品的市場接受度，都是影響長期投資價值的重要因素。建議投資人持續追蹤相關新聞和公司公告。
潛在風險與考量：
- 全球經濟形勢不佳，可能持續影響記憶體市場的需求，進而影響公司營收。
- 先進封裝技術的研發需要大量資金和技術投入，若研發進展不如預期，可能會對公司財務狀況造成壓力。
- 同業競爭激烈，公司能否在市場中脫穎而出，取決於技術優勢和成本控制能力。
總結而言，福懋科目前面臨短期挑戰，但也積極佈局未來成長機會。投資人應謹慎評估風險，並密切關注公司的長期發展策略。
重點摘要（條列式）
- 營運績效：
- 2024年第三季營業收入為新台幣2,080,389千元，較上一季減少11.0%，較去年同期增加26.8%。
- 營業毛利為新台幣201,451千元，較上一季大幅減少47.4%，較去年同期增加25,464.8%。
- 本期淨利為新台幣122,213千元，較上一季減少56.9%，較去年同期增加179.2%。
- 每股盈餘（EPS）為0.28元，低於上一季的0.64元及去年同期的0.10元。
- 財務狀況：
- 每股淨值為25.73元，略低於上一季的26.24元及去年同期的26.44元。
- 2024年前三季自由現金流量為861,546千元。
- 截至2024年9月30日，期末現金餘額為新台幣4,916,291千元。
- 資本支出：
- 2024年前三季實際資本支出為新台幣4.70億元。
- 預估2024年度全年資本支出為新台幣8.68億元。
- 研究發展與規劃：
- 開發3D矽穿孔露銅（3D TSV Reveal）製程技術，佈局先進封裝領域。
- 開發晶圓凸塊（Bumping）及重新佈線（RDL）技術。
- 已開發出9層晶片堆疊之銲線能力。
- 營運重點與市場展望：
- 持續進行先進封裝、測試及模組製程技術開發。
- 配合客戶開發導入量產DDR5產品及十奈米級產品。
- 新建五廠工程預計明年年中完工。
- 預期第四季電競記憶體模組市場將成長，DDR5比重提升將帶動換機需求。
- DDR3/DDR4 常規記憶體產品受全球經濟景氣不佳影響需求轉弱，庫存去化緩慢，IC封測代工需求短期仍呈保守。
趨勢分析
- 營收與獲利能力下降：與前一季度相比，福懋科的營業收入、營業毛利和本期淨利均呈現顯著下降趨勢，這可能反映了記憶體市場的疲軟以及公司產品組合的變化。
- 資本支出增加：公司持續進行資本支出，特別是新建五廠的工程，顯示公司對未來發展的信心，並預期市場需求將回升。
- 技術研發投入：福懋科積極投入先進封裝技術的研發，包括3D TSV和晶圓凸塊等，旨在提升產品競爭力，以應對高頻寬記憶體（HBM）和高階應用市場的需求。
利多與利空
以下整理福懋科技法人說明會中釋出的資訊，區分利多與利空因素，供投資者參考：
利多因素
- 先進封裝技術研發：持續投入3D TSV、晶圓凸塊等先進封裝技術，有助於提升產品競爭力，爭取高階記憶體市場的訂單。（長期利多）
- DDR5產品導入量產：配合客戶開發導入DDR5產品，有助於提升產品單價及獲利能力。（中期利多）
- 新建五廠工程：新建廠房預計明年年中完工，將擴大產能，為未來成長奠定基礎。（長期利多）
- 電競記憶體模組市場：預期第四季為電競記憶體模組市場傳統旺季，將帶動模組代工需求成長。（短期利多）
利空因素
- Q3營運績效下滑：2024年第三季營收、毛利、淨利等財務指標均較上一季下滑，顯示營運面臨壓力。（短期利空）
- 記憶體市場需求疲軟：受到全球經濟景氣不佳影響，一般DDR3/DDR4記憶體需求轉弱，IC封測代工需求短期仍呈保守。（中期利空）
- 標準型記憶體模組需求疲弱：PC與NB市場需求疲弱，對於標準型記憶體模組代工需求轉趨保守。（中期利空）