蔚華科（3055）法說會日期、內容、AI重點整理

蔚華科（3055）法說會日期、直播、報告分析

公開資訊觀測站資訊

日期

2024/12/12 15:30

地點

台北市中正區忠孝東路一段12號（喜來登飯店B1會議廳）

相關說明

本公司受邀參加第一金證券法人部舉辦之第四季投資論壇，說明公司簡介、產品介紹及財務資訊。

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蔚華科（3055）法人說明會簡報分析

初步分析與總結

這份簡報提供了蔚華科技的公司概況、產品介紹、財務數據以及未來發展方向。整體而言，公司正在進行轉型，擴大自有產品開發，特別是在化合物半導體檢測設備領域。SiC缺陷檢測系統和TSV量測設備是重點發展方向，有望在未來帶來增長。財務方面，公司正積極調整營運組織、改善毛利率、處分投資項目，並著重於智慧財產權的佈建。簡報中也提到中國大陸市場的地緣經濟影響，公司在接單方面持謹慎態度。

從股票市場的角度來看，蔚華科專注於高階檢測設備的開發，尤其是化合物半導體領域，這是一個具有成長潛力的市場。投資人可以關注其在SiC缺陷檢測和TSV量測設備領域的進展，以及是否能成功取得指標客戶訂單。然而，需要注意的是，地緣政治風險以及公司在大陸市場的策略調整可能對營收產生影響。

對散戶而言，關注以下幾點：

• 公司的研發投入與專利申請進度，這代表了技術競爭力。
• 主要產品（SiC檢測、TSV量測）的市場接受度和客戶採用情況。
• 公司在大陸市場的風險管理策略。
• 公司營收及獲利的成長性。

簡報重點摘要

1. 公司概況
   • 成立時間：1987年
   • 台灣股票代碼：3055（2002年上市）
   • 資本額：38.3百萬美元（約NTD 11.5億元）
   • 市值：2.4億美元（2024/11/28，約NTD 86.57億元）
   • 員工人數：180人 (2024/12)
   • 業務範疇：半導體測試／封裝／檢測設備
2. 產品與服務
   • 自有品牌設備：
     • SP2500 SoC 測試解決方案
     • MA6503D 微觀晶圓檢測系統
     • SP3055B 非破壞性SiC缺陷檢測系統
     • SP8000A 雷射掃描共焦量測開發平台
   • 半導體封裝測試設備經銷
   • 光學技術研發中心
   • 板件維修服務
   • 系統整合服務、客製化半導體測試解決方案（思衛科技）
   • 先進數位光學技術、化合物半導體檢測系統、共焦量測開發平台（南方科技）
3. 核心競爭力
   • 顧客導向服務
   • 深耕半導體業三十餘年，熟稔大中華區客戶關係
   • 專業團隊：專業年資5年以上140人、10年以上103人、15年以上82人、20年以上55人
   • 自有產品研發資源投入，具備測試解決方案開發能力，設立光學技術研發中心，取得多項專利
   • 持續獲利的營運實績，穩定強健的資金能力
4. 轉型方向
   • 擴大自有產品開發，以自有產品走出兩岸以外市場
   • 重點產品：SP3055B 非破壞性SiC缺陷檢測系統、SP8000A 雷射掃描共焦量測開發平台
5. SiC基板檢測
   • 當前面臨的挑戰：產業總體有效產出不足也不平衡，基板品質及缺陷掌握度不足，缺乏有效的非破壞性檢測技術。
   • 現有檢驗方式（KOH破壞性蝕刻）的缺點：破壞性量測造成產能與成本浪費，化學蝕刻準度一致性不易掌握，僅取少量樣本，難以充分反應晶錠其他基板品質。
   • SP3055B 非破壞性SiC缺陷檢測系統：可檢測多種基板表面及內部致命性晶體缺陷（BPD／TSD／MicroPipe／Stacking Fault），具備三維微區掃描功能，是破壞性KOH檢測之有效替代解決方案。
6. SP8000A雷射掃描共焦量測開發平台
   • 同時具備單點式（傳統材料分析）及掃描式（生醫影像）的量測功能。
   • 可透過模組擴充開啟其它功能，如表面形貌檢查功能與光譜量測功能。
   • 應用場域廣泛，涵蓋材料分析、生醫、光通訊、半導體等領域。
7. 專利申請
   • 多項專利申請中，包括鏡面反射載台、PMT專利、TSV專利等。
   • 專利主要與SP3055B、SP8000A相關，顯示公司在這些產品上的技術創新。
8. 財務數據
   • 維持穏健財務結構。
   • 111年度調整營運組織、毛利率獲得改善及113年度處分投資項目-新匯成股票。
   • 已處分快銷品事業、驗證服務事業，並回收交割款。
   • 113/~Q3處分新匯成股票，收回交割款4.6億(113/10 剩餘交割款2E; 全部均價RMB8.81, 絶對報酬76%/ 2.85億)。
   • 總資產減少8.57億，主要原因：合併負債及帳款減少、買回公司股份、配發現金股利、本期淨損等。
9. 營運策略
   • 佈建智慧財產及開發自有光學產品，推動成長轉型策略。
   • 取得南方公司股權，開發「非破壞性SiC晶圓缺陷檢測系統」。
   • 佈建全球主要市場，取得光學專利，建構長期競爭優勢。
   • 推出「雷射掃描共焦量測開發平台」至TSV孔壁三維非破壞性量測。
   • 目標：取得「非破壞性SiC晶圓缺陷檢測系統」及TSV量測設備的指標廠客戶訂單及出貨（114年H1）。
   • 中國大陸市場受地緣經濟影響，接單謹慎篩選客戶。
   • 持續全面精實成本。
   • 持續AR催收及存貨庫存去化。

市場影響與未來趨勢分析

利多因素：

• 化合物半導體市場成長：SiC和GaN等化合物半導體在電動車、5G、高效電源等領域應用廣泛，市場需求快速成長，帶動相關檢測設備需求。
• 技術領先優勢：蔚華科在非破壞性SiC缺陷檢測技術和TSV量測技術上具備一定的技術優勢，有助於取得市場份額。
• 自有產品策略：轉型為自有產品為主，可提升毛利率和獲利能力，並降低對經銷業務的依賴。
• 專利佈局：積極申請專利，可建立技術壁壘，保護市場地位。

風險因素：

• 地緣政治風險：中國大陸市場佔比較高，地緣政治風險可能對營收產生負面影響。
• 競爭激烈：半導體檢測設備市場競爭激烈，需要不斷投入研發以維持競爭力。
• 客戶驗證時間：新產品（SiC檢測、TSV量測）需要客戶驗證和導入時間，可能影響營收實現速度。
• 全球供應鏈調整：全球供應鏈調整可能導致生產成本上升或供應鏈中斷。

股價短期或長期趨勢預測：

短期來看，股價可能受到以下因素影響：

• 營收表現：營收成長性是關鍵指標，若營收成長符合或超出預期，可能帶動股價上漲。
• 毛利率變化：自有產品比重提升有助於提升毛利率，對股價產生正面影響。
• 重要客戶訂單：取得指標客戶訂單可視為利多，可能刺激股價上漲。

長期來看，股價可能受到以下因素影響：

• 市場佔有率：在SiC檢測和TSV量測設備市場的佔有率將影響長期股價表現。
• 技術創新：持續技術創新和專利佈局可鞏固長期競爭優勢。
• 全球擴張：成功拓展海外市場有助於分散風險並提升成長潛力。

對投資人的建議

投資人應密切關注蔚華科的營收、毛利率、研發進展、客戶採用情況以及地緣政治風險。長期投資者可關注公司在化合物半導體檢測設備市場的發展潛力，但應注意風險管理。此外，公司的現金流和財務狀況穩定，可持續關注。